Поиск аналогов электронных компонентов
NDS331N
onsemiСША

NDS331N

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT-23-3

MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока1.3 A
Сопротивление в открытом состоянии160 mΩМакс. · 1.5A
Пороговое напряжение1 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3
Другое
Base Product NumberNDS331
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds162 pF @ 10 V
Mfronsemi
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Изображения

Документы