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Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 5.9A |
| Id-额定电流 | 5.9A |
| VDSS-最大漏源电压 | 12V |
| Vgs(th)-门槛电压 | 0.8V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| RDS(on)-漏源导通阻抗 | 25mΩ |
| Ron-最大导通阻抗 | 25mΩ |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装类型1 | WDFN |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 最小工作温度 | -55℃ |
| Другое | |
| Ciss-输入电容 | 1157pF |
| Ciss-输入等效电容 | 1157pF |
| Pd-功率耗散 | 1.9W |
| Pd-最大功率耗散 | 1.9W |
| Qg-栅极电荷 | 12.8nC |
| Vdss-漏源耐压 | 12V |
| Vgs-栅源耐压 | 8V |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 引脚数量1 | 6 |
| 集成ESD保护二极管 | 0 |
| 集成整流二极管 | 0 |