onsemiСША
MOSFET N-CH 30V 9.5A 6PQFN
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока9.5 A
Сопротивление в открытом состоянии6.1 mΩМакс. · 10A
Пороговое напряжение2.1 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 860mW (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 6-PowerWDFN |
| Supplier Device Package | 6-PQFN (2x2) |
| Другое | |
| Base Product Number | NTLJS4 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020 pF @ 15 V |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 10A, 4.5V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.