onsemiСША
DIODE SIL CARBIDE 650V 30A DIE
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение650 V
Средний выпрямленный ток30 A
Прямое падение напряжения1.75 VМакс. · 30 A
ТипSchottky
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 30 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C(Max) |
| Package | Tray |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
| Другое | |
| Base Product Number | PCFFS3065 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |