PJSEMI(平晶微)Китай
PJM09P30DF
Transistors - FETs, MOSFETs - Single1个P沟道，VDS=30V ID=9A ,PD:2W RDS(ON)<25mΩ@Vgs=10V
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока9 A
Сопротивление в открытом состоянии45 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |
Документы
DatasheetDatasheet · 776.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 633.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 432.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 432.0 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 430.9 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 430.9 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 421.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 417.8 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 241.2 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 241.2 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 241.2 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 241.2 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 240.7 KB · 2026-09-21
Центр документации