Rohm SemiconductorЯпония
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 8. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток800 V
Постоянный ток стока10 A
Сопротивление в открытом состоянии560 mΩМакс. · 5A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Другое | |
| Base Product Number | R8010 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750 pF @ 25 V |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Not For New Designs |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 5A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.