Rohm SemiconductorЯпония
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение650 V
Средний выпрямленный ток20 A
Прямое падение напряжения1.5 VМакс. · 20 A
ТипSchottky
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 20 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C(Max) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Другое | |
| Base Product Number | SCS320 |
| Capacitance @ Vr, F | 1000pF @ 1V, 1MHz |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.