Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай
DIODE GEN PURP 100V 20A ITO220AB
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток20 A
Прямое падение напряжения975 mVМакс. · 10 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975 mV @ 10 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C~150°C |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Supplier Device Package | ITO-220AB |
| Другое | |
| Base Product Number | SFF2002 |
| Capacitance @ Vr, F | 90pF @ 4V, 1MHz |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.