Rohm SemiconductorЯпония
650V 80A, FRD Bare Die for IGBT Module
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Operating Temperature (Max.)[°C] | 175 |
| Operating Temperature (Min.)[°C] | -40 |
| Другое | |
| I F (Nominal) [A] | 80 |
| Series | FRD: Fast recovery diode |
| V F (Typ.) [V] | 1.45 |
| V RM [V] | 650 |