DIODE GEN PURP 1.3KV 1A SMA
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1.3 kV
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения1 VМакс. · 1 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 µA @ 1.3 kV |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1300 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C~175°C |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Supplier Device Package | SMA (DO-214AC) |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2 µs |
| Series | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.