Infineon TechnologiesГермания
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока3.2 A
Сопротивление в открытом состоянии1.4 ΩМакс. · 2A
Пороговое напряжение3.9 VМакс. · 135μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |