HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

这款肖特基二极管设计有2A的正向电流（IF）容量和100V的最高反向电压（VR），适用于需要高可靠性的电子线路中。其正向电压降（VF）为0.85V，有助于减少在导通状态下的能量损失。反向漏电流（IR）低至20微安，确保了在无正向电流时的良好隔离性能。此外，该二极管支持高达50A的瞬态峰电流（IFSM），使其成为应对短暂高电流需求的理想选择。这种组件特别适合用作高频开关应用中的整流元件或在敏感电路中作为保护器件。