HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为5A，最大反向电压为30V，正向压降典型值为0.55V，有助于降低导通损耗。在反向阻断状态下，漏电流为500μA。器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于低压高频整流、开关电源输出级、电池充放电管理及各类对效率敏感的电子系统中，提供可靠的单向导通功能。