AF(晶岳)Китай
Schottky Barrier Diode semiconductor device
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | TO-277B |
| Другое | |
| Conf. | SBD |
| IF(A) | 175 |
| IO(A) | 10 |
| IR(uA) | 500 |
| Part No. | SSCS1060TC |
| VF(V) | 0.4 |
| VR(V） | 60 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.