AF(晶岳)Китай
Schottky Barrier Diode semiconductor device
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | SOT-23 |
| Другое | |
| Conf. | SBD |
| IO(A) | 0.2 |
| IR(uA) | 0.2 |
| Part No. | SSCSBAS4004S6 |
| VF(V) | 1 |
| VR(V） | 40 |
Schottky Barrier Diode semiconductor device
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | SOT-23 |
| Другое | |
| Conf. | SBD |
| IO(A) | 0.2 |
| IR(uA) | 0.2 |
| Part No. | SSCSBAS4004S6 |
| VF(V) | 1 |
| VR(V） | 40 |