Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款单P型MOSFET,采用Trench技术,适合用于多种电路模块中。SC75-3;P—Channel沟道,-20V;-0.55A;RDS(ON)=450mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.4~-1V;

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока550 mA
Питание
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)550mA
Другое
数量1个P沟道
耗散功率(Pd)120mW

Документы