Поиск аналогов электронных компонентов
STF8N60DM2
STMicroelectronicsШвейцария

STF8N60DM2

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-220FPAB

MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока8 A
Сопротивление в открытом состоянии600 mΩМакс. · 4A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)25W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Supplier Device PackageTO-220FPAB
Другое
Base Product NumberSTF8
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds449 pF @ 100 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 4A, 10V
SeriesMDmesh™ DM2
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.