VBsemi(微碧半导体)Китай
STGF15M65DF2-VB
IGBT Devices and Modules - Unspecified Type集射极击穿电压(Vces):600/650(V)；集电极电流(Ic)：15A栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@ VGE=15V
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение коллектор-эмиттер600 V
Ток коллектора15 AМакс.
Мощность34 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集电极电流(Ic) | 15A |
| Другое | |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.