VBsemi(微碧半导体)Китай
STGF20M65DF2-VB
IGBT Devices and Modules - Unspecified Type集射极击穿电压(Vces):600/650(V)；集电极电流(Ic)：20A栅极阈值电压(Vge(th))：1.65V@ VGE=15V
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение коллектор-эмиттер600 V
Ток коллектора20 AМакс.
Мощность35 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集电极电流(Ic) | 20A |
| Другое | |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.