VBsemi(微碧半导体)Китай
STGP30M65DF2-VB
IGBT Devices and Modules - Unspecified Type集射极击穿电压(Vces):600/650(V)；集电极电流(Ic)：30A栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@ VGE=15V
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение коллектор-эмиттер600 V
Ток коллектора30 AМакс.
Мощность170 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 集电极电流(Ic) | 30A |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 90A |
| Другое | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.