Поиск аналогов электронных компонентов
STP35N65DM2
STMicroelectronicsШвейцария

STP35N65DM2

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-220

MOSFET N-CH 650V 32A TO220

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока32 A
Сопротивление в открытом состоянии110 mΩМакс. · 16A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)250W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220
Другое
Base Product NumberSTP35
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2540 pF @ 100 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 16A, 10V
SeriesMDmesh™ DM2
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Изображения

Документы