Поиск аналогов электронных компонентов
STP9NK90Z
STMicroelectronicsШвейцария

STP9NK90Z

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-220

MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 3. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток900 V
Постоянный ток стока8 A
Сопротивление в открытом состоянии1.3 ΩМакс. · 3.6A
Пороговое напряжение4.5 VМакс. · 100μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)160W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220
Другое
Base Product NumberSTP9NK90
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2115 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3Ohm @ 3.6A, 10V
SeriesSuperMESH™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.