Поиск аналогов электронных компонентов
STS4DNFS30
STMicroelectronicsШвейцария

STS4DNFS30

Снят с производстваTransistors - FETs, MOSFETs - Single8-SOIC

MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока4.5 A
Сопротивление в открытом состоянии55 mΩМакс. · 2A
Пороговое напряжение1 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Power Dissipation (Max)2W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
Другое
Base Product NumberSTS4D
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 2A, 10V
SeriesSTripFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Изображения

Документы