Поиск аналогов электронных компонентов
STS4DPFS30L
STMicroelectronicsШвейцария

STS4DPFS30L

Снят с производстваTransistors - FETs, MOSFETs - Single8-SOIC

MOSFET P-CH 30V 5A 8SO

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока5 A
Сопротивление в открытом состоянии55 mΩМакс. · 2.5A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
Другое
Base Product NumberSTS4D
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 2.5A, 10V
SeriesSTripFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Изображения

Документы