STMicroelectronicsШвейцария
DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение1 kV
Средний выпрямленный ток30 A
Прямое падение напряжения2 VМакс. · 30 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 15 µA @ 1000 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 30 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C(Max) |
| Package | Tube |
| Package / Case | DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) |
| Supplier Device Package | DOP3I |
| Другое | |
| Base Product Number | STTH3010 |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100 ns |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.