VBsemi(微碧半导体)Китай
UT108N03L-TN3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока100 A
Сопротивление в открытом состоянии3 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |