VBsemi(微碧半导体)Китай
UT3413G-AE3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.81V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока4 A
Сопротивление в открытом состоянии80 mΩМакс. · 2.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |