VBsemi(微碧半导体)Китай
UTD351G-AE3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.2V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока6.5 A
Сопротивление в открытом состоянии33 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |