VBsemi(微碧半导体)Китай
UTT50N06L-TN3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока58 A
Сопротивление в открытом состоянии13 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 58A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |