VBsemi(微碧半导体)Китай
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于需要低功耗、小封装和可靠性能的领域和模块。SOT23-6；N—Channel沟道,100V；3.2A；RDS(ON)=95mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока3.2 A
Сопротивление в открытом состоянии95 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V,3.2A |
| 数量 | 1个N沟道 |