VBsemi(微碧半导体)Китай
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench技术，适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域。TO251,N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток40 V
Постоянный ток стока85 A
Сопротивление в открытом состоянии5 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 85A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,85A |
| 数量 | 1个N沟道 |