VBsemi(微碧半导体)Китай
TO263;P—Channel沟道,-40V;-80A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;是一款单P型SGT技术MOSFET,适用于电源管理、电动工具、电动车辆和工业高频开关电源等多种领域和模块。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.
TO263;P—Channel沟道,-40V;-80A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;是一款单P型SGT技术MOSFET,适用于电源管理、电动工具、电动车辆和工业高频开关电源等多种领域和模块。
Технические параметры этого компонента пока не указаны.