VBsemi(微碧半导体)Китай
TO247;N—Channel沟道,100V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5~4.5V;是一款采用SGT技术单N型场效应晶体管,适用于各种需要高电压、大电流和低导通电阻的应用领域。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.
TO247;N—Channel沟道,100V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5~4.5V;是一款采用SGT技术单N型场效应晶体管,适用于各种需要高电压、大电流和低导通电阻的应用领域。
Технические параметры этого компонента пока не указаны.