VBsemi(微碧半导体)Китай
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型场效应管，采用Trench技术，适用于电源模块、逆变器、超级电容器充放电模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,30V；140A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока28.8 A
Сопротивление в открытом состоянии4 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 28.8A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,28.8A |
| 数量 | 1个N沟道 |