VBsemi(微碧半导体)Китай

TO220F；N—Channel沟道,40V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；是一款采用Trench技术单N沟道MOSFET，适用于电动车电池管理模块、工业电源逆变模块等领域和模块。