VBsemi(微碧半导体)Китай

TO220F；N—Channel沟道,600V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术高电压N沟道MOSFET，适用于电源转换器、工业控制设备等领域和模块。