VBsemi(微碧半导体)Китай
VBMB18R07S
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET产品，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种功率电子应用场景。TO220F；N—Channel沟道,800V；7A；RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток800 V
Сопротивление в открытом состоянии850 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |