VBsemi(微碧半导体)Китай
VBMB18R09S
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管产品，采用SJ_Multi-EPI技术，在电源逆变器、风能变流器、高压直流输电系统和工业电机驱动等领域的适用性，展示了其广泛的应用前景和潜力。TO220F；N—Channel沟道,800V；9A；RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток800 V
Постоянный ток стока6.9 A
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A |
| Другое | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 99W |