VBsemi(微碧半导体)Китай
VBMB2102M
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于多种领域和模块。TO220F；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока8.6 A
Сопротивление в открытом состоянии220 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,3.6A |
| 数量 | 1个P沟道 |