Поиск аналогов электронных компонентов
VBMB2104N

TO220F;P—Channel沟道,-100V;-50A;RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于多种电源模块。

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Технические параметры этого компонента пока не указаны.

Изображения

Документы