VBsemi(微碧半导体)Китай
VBMB2104N
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO220F;P—Channel沟道,-100V;-50A;RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于多种电源模块。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.