VBsemi(微碧半导体)Китай
VBMB2202K
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO220F；P—Channel沟道,-200V；-3.6A；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока2.5 A
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A |
| Другое | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 74W |