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40V +175°C N-Channel Enhancement Mode MOSFET

40V +175°C N-Channel Enhancement Mode MOSFET

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333

MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333

本N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的漏极电流ID和40V的漏源电压VDSS，适用于多种中高功率电路设计。导通电阻RDON仅为6.9mΩ，有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理、DC-DC转换、电机驱动、储能设备以及其他对效率与可靠性有要求的电子电路应用场合。

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与高效率特性，适用于多种高密度电源转换场景。其漏极电流ID可达60A，漏源电压VDSS为40V，确保在中高压应用中的稳定运行；导通电阻RDON低至6.9mΩ，显著降低导通损耗，提高系统能效。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于高效同步整流、直流电机控制、功率开关以及各类高要求的电源管理系统中，为电路设计提供可靠的核心支持。