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MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3

该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，具备5A大电流处理能力。凭借其卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景中，实现高效、稳定的功率控制与切换功能。

场效应管

MOS · 中低压 沟槽Trench MOS

MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23

MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPER SOT-3

MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3

FDN304P-FS

1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A适用于电源开关和信号控制

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-5A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.45~-1V；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。

FDN304PZ 型号P沟道MOS管，采用经济高效的SOT-23-3L封装形式，专为现代电子设备的小型化需求设计。器件拥有20V的额定电压VDSS，以及4.1A的连续电流ID处理能力，适用于多种功率控制应用。其导通电阻低至34mR，有助于提升系统效率，降低能耗。此款MOS管常用于电源开关、负载驱动、逻辑电平转换等功能模块，出厂前历经严格品质检验，确保为用户提供稳定可靠的性能表现。

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

P-Channel MOSFET