Результаты поиска:TP65H035WS
Найдено: 4- С даташитом1
- Производителей2
Результаты поискаВсего: 4
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | |||||
| Single FETs, MOSFETs | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 | |||||
| Single FETs, MOSFETs | 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优良的导通特性和高可靠性，适用于多种高效能电源管理系统。其主要参数包括：最大漏极电流ID为49A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDON为33mΩ，能够有效提升系统效率并降低功耗。该器件具有优异的开关性能和热稳定性，适合应用于中高功率电源转换设备中的主开关元件，如各类适配器、充电器及电源模块中的同步整流与负载切换电路。 | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.