POWER BJT
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер500 V
Ток коллектора200 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE3025mA
Мощность1 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Power - Max | 1 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 10V |
| Frequency - Transition | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C~200°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Другое | |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 5mA, 25mA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.