PJSEMI(平晶微)Китай
2SB1386SQ-R
Bipolar Transistors - Unspecified TypePNP,三极管 VCEO:-20V,IC:-5A,PD:0.5W, HFE:180~390,VCE(SAT):-1V(MAX)
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер20 V
Ток коллектора5 AМакс.
Мощность500 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V |
| 集电极电流(Ic) | 5A |
| Другое | |
| 晶体管类型 | PNP |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
Документы
DatasheetDatasheet · 1.4 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 776.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 432.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 432.0 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 430.9 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 430.9 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 421.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 417.8 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 241.2 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 241.2 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 241.2 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 241.2 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 240.7 KB · 2026-09-21
Центр документации