onsemiСША
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер700 V
Ток коллектора8 AМакс.
Коэффициент усиления hFE101A
Мощность3 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Power - Max | 3 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
| Frequency - Transition | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-3PMLH |
| Другое | |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 900mA, 4.5A |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.