VBsemi(微碧半导体)Китай
4N80L-TN3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种电子应用领域。TO252；N—Channel沟道,800V；2.8A；RDS(ON)=2380mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток800 V
Постоянный ток стока2.8 A
Сопротивление в открытом состоянии2.38 ΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.38Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |