Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。TO263;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока75 A
Пороговое напряжение3 VМакс.
Питание
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)75A
阈值电压(Vgs(th))3V
Другое
数量1个N沟道

Документы