Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款功率MOSFET,采用了Trench技术,具有优良的性能和稳定性。适用于各种功率电路和模块,能够在高压和高电流下稳定工作。TO220;P—Channel沟道,-30V;-70A;RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока70 A
Сопротивление в открытом состоянии11 mΩМакс. · 4.5V
Питание
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)70A
Другое
导通电阻(RDS(on))11mΩ@4.5V
数量1个P沟道

Документы